在半導(dao)體蝕刻(ke)(ke)(ke)(ke)工藝中(zhong)應(ying)用(yong)旋片式真空泵的(de)(de)目的(de)(de)是去除(chu)(chu)曝光(guang)和顯影的(de)(de)光(guang)致抗(kang)蝕劑微(wei)圖案(an)中(zhong)的(de)(de)下層(ceng)材(cai)料的(de)(de)暴露部(bu)分(fen),即,再現與(yu)下層(ceng)材(cai)料上(shang)(shang)的(de)(de)光(guang)致抗(kang)蝕劑相(xiang)同的(de)(de)圖案(an)。蝕刻(ke)(ke)(ke)(ke)是半導(dao)體制(zhi)造工藝,微(wei)電子(zi)IC制(zhi)造工藝和微(wei)納制(zhi)造工藝中(zhong)非常重(zhong)要(yao)的(de)(de)步驟。這是與(yu)光(guang)刻(ke)(ke)(ke)(ke)相(xiang)關的(de)(de)圖形(xing)處理(li)的(de)(de)主要(yao)過(guo)程。事(shi)實上(shang)(shang),所謂的(de)(de)蝕刻(ke)(ke)(ke)(ke)是狹義理(li)解的(de)(de)是光(guang)刻(ke)(ke)(ke)(ke)蝕刻(ke)(ke)(ke)(ke)。首(shou)先通(tong)過(guo)光(guang)刻(ke)(ke)(ke)(ke)對光(guang)致抗(kang)蝕劑進行光(guang)刻(ke)(ke)(ke)(ke)曝光(guang)處理(li),然后通(tong)過(guo)其他方(fang)法進行蝕刻(ke)(ke)(ke)(ke)以去除(chu)(chu)要(yao)去除(chu)(chu)的(de)(de)部(bu)分(fen)。隨著(zhu)微(wei)制(zhi)造工藝的(de)(de)發展,從廣(guang)義上(shang)(shang)講(jiang),蝕刻(ke)(ke)(ke)(ke)已經成(cheng)為(wei)通(tong)過(guo)溶液,反應(ying)離子(zi)或其他機械(xie)手段剝離和去除(chu)(chu)材(cai)料的(de)(de)通(tong)用(yong)術語,并且(qie)已經成(cheng)為(wei)微(wei)加工的(de)(de)通(tong)用(yong)術語。
以下描述Si3N4蝕刻的過程:
Si3N4刻蝕(shi)半(ban)導體(ti)刻蝕(shi)工藝(yi):
在903E蝕(shi)(shi)(shi)刻機(ji)中(zhong)蝕(shi)(shi)(shi)刻,引入蝕(shi)(shi)(shi)刻機(ji)的氣(qi)(qi)體是(shi):CF4,NF3,He。氟自由基的作(zuo)用(yong)是(shi)使氮化硅被(bei)腐(fu)蝕(shi)(shi)(shi),產物是(shi)氣(qi)(qi)體,它被(bei)旋片(pian)式真空泵抽走。為(wei)(wei)了加(jia)(jia)(jia)速腐(fu)蝕(shi)(shi)(shi)速率(lv),可以(yi)(yi)在CF4中(zhong)加(jia)(jia)(jia)入少量氧氣(qi)(qi)(5%-8%),因為(wei)(wei)氧氣(qi)(qi)可以(yi)(yi)抑制反應室(shi)壁中(zhong)F *的損失,并且(qie):CF4 + O2→F * + O * + COF * + COF2 + CO + ...(電離(li))。 COF *具有長壽(shou)命,當它移(yi)動(dong)到(dao)晶片(pian)表面時,發生以(yi)(yi)下反應以(yi)(yi)加(jia)(jia)(jia)速腐(fu)蝕(shi)(shi)(shi)速率(lv):COF *→F * CO(電離(li)),但加(jia)(jia)(jia)入氧氣(qi)(qi)以(yi)(yi)腐(fu)蝕(shi)(shi)(shi)光致抗蝕(shi)(shi)(shi)劑以(yi)(yi)減少選擇性。
蝕刻是微細加工技術的重要組成部分,微電子技術的快速發展推動了微加工技術的發展。通常,蝕刻技術可分為干蝕刻和濕蝕刻。初始蝕刻主要是濕法蝕刻,但是當器件制造成微米和亞微米時代時,進行濕法蝕刻。蝕刻難以滿足日益高的精度要求。干蝕刻技術取得了很大進展。干蝕刻通常通過物理和化學方面的組合去除蝕刻的膜,因此蝕刻具有各向異性,這可以從根本上改善濕法中固有的橫向底切問題。從而滿足細線蝕刻的要求。有許多常見的蝕刻方法,旋片式真空技術就是其中之一。用于半導體蝕刻工藝的旋片式真空泵具有速度快,選擇率高,各向異性高,蝕刻損傷小,大面積均勻性好,蝕刻部分輪廓可控性好,蝕刻表面光滑平滑等優點。近年來,德國旋片式真空泵已廣泛應用于硅,二氧化硅,III-V化合物等材料的蝕刻,并取得了良好的蝕刻效果,可滿足制作超大規模集成電路的要求。 ,MEMS,光電器件。各種微結構設備的要求。